Schowek0
Twój schowek jest pusty
Koszyk0
Twój koszyk jest pusty ...
Strona główna » Podzespoły » Pamięci » do notebooków » KINGSTON DDR4 SODIMM 16GB 2666MHz CL19 1Rx8
KINGSTON DDR4 SODIMM 16GB 2666MHz CL19 1Rx8-4110784

KINGSTON DDR4 SODIMM 16GB 2666MHz CL19 1Rx8

Kingston

Dostępność:Dostępność - 3 dni

Czas wysyłki:24 godziny

Koszt wysyłki:od 0,00 zł

Numer katalogowy:PAMKINSOO0218

Kod producenta:KVR26S19S8/16

Stan magazynowy:

Kod EAN:740617310917

Waga:0,02 kg

Typ pamięci buforowej:Unregistered (unbuffered)

Rozkład pamięci (moduły rozmiaru x):1 x 16 GB

Opóźnienie cas:19

Napięcie pamięci:1.2 V

Kod korekcyjny:Nie

Typ pamięci wewnętrznej:DDR4

Prędkość zegara pamięci:2666 Mhz

Element dla:Notebook

Pamięć wewnętrzna:16 GB

Cena brutto: 144,99 zł

Cena netto: 117,88 zł

Brak zmiany ceny produktu w ciągu ostatnich 30 dni

Ilość:
-+
szt.
Dodaj do koszyka

dodaj do schowka

  • Opis produktu
  • Recenzje produktu (0)
  • Gwarancja: W000M

Nikt jeszcze nie napisał recenzji do tego produktu. Bądź pierwszy i napisz recenzję.

Tylko zarejestrowani klienci mogą pisać recenzje do produktów. Jeżeli posiadasz konto w naszym sklepie zaloguj się na nie, jeżeli nie załóż bezpłatne konto i napisz recenzję.

Pozostałe produkty z kategorii
Samsung SO-DIMM 32GB DDR4 2Rx8 3200MHz PC4-25600 M471A4G43AB1-CWE-8390584
szt.Do koszyka
Pamięć do notebooka DDR5 SODIMM 64GB(2*32) /5600 CL46 (16Gbit) -10327584
szt.Do koszyka
Pamięć Premier DDR4 3200 SODIM 8GB CL22 ST-4501587

Pamięć Premier DDR4 3200 SODIM 8GB CL22 ST

60,99 zł brutto49,59 zł netto
szt.Do koszyka
Kingston 8GB 2666MHz DDR4 CL15 SODIMM FURY Impact KF426S15IB/8-3098815
szt.Do koszyka
Samsung SO-DIMM 16GB DDR4 2Rx8 3200MHz PC4-25600 M471A2K43EB1-CWE-7801148
szt.Do koszyka
Pamieć DDR4 Signature 8GB/2133 (1*8GB) CL15 -4439207

Pamieć DDR4 Signature 8GB/2133 (1*8GB) CL15

63,99 zł brutto52,02 zł netto
szt.Do koszyka
Korzystanie z tej witryny oznacza wyrażenie zgody na wykorzystanie plików cookies. Więcej informacji możesz znaleźć w naszej Polityce prywatności.
Nie pokazuj więcej tego komunikatu